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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.44 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 21.02 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71V64400CT-5 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| GM71V64400CT-6 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| GM71V64400CT-7 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| GM71V64403AJ-5 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71V64403AJ-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71V64403AT-5 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71V64403AT-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71V64403C(CL) | ETC |
获取价格 |
16Mx4|3.3V|8K|5/6|FP/EDO DRAM - 64M |
|
| GM71V64403CJ-5 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71V64403CJ-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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