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GM71C18160CT-5

更新时间： 2024-01-01 22:35:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 112K
描述
x16 Fast Page Mode DRAM

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GM71C18160CT-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71C18160CT-5 数据手册

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GM71C18160C  
GM71CS18160CL  
DC Electrical Characteristics (VCC = 5V+/-10%, Vss = 0V, TA = 0 ~ 70C)  
Symbol  
Parameter  
M in Max Unit Note  
V
OH  
Output Level  
Output "H" Level Voltage (IO U T = -5mA)  
2.4  
0
V
C C  
V
V
Output Level  
V
O L  
0.4  
Output "L" Level Voltage (IO U T = 4.2mA)  
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
190  
170  
Operating Current  
I
C C 1  
Average Power Supply Operating Current  
(RAS, UCAS or LCAS Cycling: tR C = tR C min)  
mA  
mA  
mA  
1, 2  
-
150  
I
I
C C 2  
S tandby Current (TTL)  
-
2
Power Supply Standby Current  
(RAS, UCAS, LCAS = VIH, D OUT = High-Z)  
C C 3  
RAS Only Refresh Current  
50ns  
60ns  
70ns  
50ns  
60ns  
-
-
-
190  
170  
Average Power Supply Current  
RAS Only Refresh Mode  
(tR C = tR C min)  
2
150  
185  
165  
I
C C 4  
Fast Page Mode Current  
Average Power Supply Current  
Fast Page Mode  
-
-
mA  
1, 3  
(tPC = tPC min)  
-
-
-
70ns  
145  
1
S tandby Current (CMOS)  
I
I
C C 5  
mA  
uA  
Power Supply Standby Current  
5
150  
(RAS, UCAS or LCAS >= VCC - 0.2V, DOUT = High-Z)  
CAS-before-RAS Refresh Current  
(tR C = tR C min)  
C C 6  
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
190  
170  
mA  
150  
500  
B attery B ack Up Operating Current  
(Standby with CBR Refresh)  
(tR C =125us, tR A S <=0.3us, DO U T =High-Z)  
I
I
I
C C 7  
-
-
uA  
4,5  
S tandby Current RAS = VIH  
UCAS, LCAS = VIL  
C C 8  
5
mA  
1
5
D
O U T = Enable  
Self-Refresh Mode Current  
C C 9  
-
300  
10  
uA  
uA  
(RAS, UCAS or LCAS<=0.2V, DO U T =High-Z)  
I
L(I)  
Input Leakage Current  
Any Input (0V<=V IN<= 6V)  
-10  
Output Leakage Current  
I
L(O)  
-10  
10  
uA  
(DOUT is Disabled, 0V<=V O U T <= 6V)  
Note: 1. IC C depends on output load condition when the device is selected.  
C C (max) is specified at the output open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS = VI L  
3. Address can be changed once or less while LCAS and UCAS = VIH  
I
.
.
4. UCAS = L (<=0.2) and LCAS = L (<=0.2) while RAS = L (<=0.2).  
5. L-version.  
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...10

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