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GM71C17800CLJ-6

更新时间： 2024-01-27 19:08:38

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海力士 - HYNIX		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
9页	94K
描述
2,097,152 WORDS x 8 BIT CMOS DYNAMIC RAM

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技术参数
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GM71C17800CLJ-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

GM71C17800CLJ-6 数据手册

GM71C17800C

GM71CS17800CL

Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle

GM71C(S)17800 GM71C(S)17800 GM71C(S)17800

C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7

Unit

Note

Symbol

Parameter

Min Max Min Max Min Max

PRWC

Fast Page Mode Read-Modify-Write

Cycle Time

tCPW

WE Delay Time from CAS Precharge

Self Refresh Mode ( L-version )

GM71CS17800

CL-5

GM71CS17800 GM71CS17800

CL-6 CL-7

Unit

Note

Symbol

Parameter

Min Max Min Max Min Max

RAS Pulse Width ( Self-refresh )

100

RASS

RPS

CHS

RAS Precharge Time ( Self-refresh )

CAS Hold Time ( Self-refresh )

110

-50

130

-50

Rev 0.1 / Apr’01

1...4 5 678 9

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与GM71C17800CLJ-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM71C17800CLJ-7	HYNIX	2,097,152 WORDS x 8 BIT CMOS DYNAMIC RAM	获取价格
GM71C17800CT-5	HYNIX	x8 Fast Page Mode DRAM	获取价格
GM71C17800CT-6	HYNIX	x8 Fast Page Mode DRAM	获取价格
GM71C17800CT-7	HYNIX	x8 Fast Page Mode DRAM	获取价格
GM71C17803BJ-6	ETC	x8 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71C17803BJ-7	ETC	x8 EDO Page Mode DRAM	获取价格