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GJM1555C1H9R0CB01

更新时间： 2024-02-23 07:47:44
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恩智浦 - NXP /
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18页 418K
描述
Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT)

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GJM1555C1H9R0CB01 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：, 0402
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8532.24.00.20Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.12Samacsys Confidence：2
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：3431319
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Capacitor
Samacsys Package Category：Capacitor Chip Non-polarisedSamacsys Footprint Name：GJM15_0.10 L=1.0mm W=0.5mm T=0.5mm
Samacsys Released Date：2019-10-01 09:24:05Is Samacsys：N
电容：0.000009 µF电容器类型：CERAMIC CAPACITOR
介电材料：CERAMIC高度：0.5 mm
JESD-609代码：e3长度：1 mm
安装特点：SURFACE MOUNT多层：Yes
负容差：2.78%端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装形状：RECTANGULAR PACKAGE封装形式：SMT
包装方法：TR, PAPER, 13 INCH正容差：2.78%
额定（直流）电压（URdc）：50 V尺寸代码：0402
表面贴装：YES温度特性代码：C0G
温度系数：30ppm/Cel ppm/ °C端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状：WRAPAROUND宽度：0.5 mm
Base Number Matches：1

GJM1555C1H9R0CB01 数据手册

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Document Number: MML25231HT1  
Rev. 0, 4/2016  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Enhancement Mode pHEMT  
Technology (E--pHEMT)  
MML25231HT1  
Low Noise Amplifier  
The MML25231H is a single--stage low noise amplifier (LNA) with active  
bias and high isolation for use in cellular infrastructure applications. It is  
designed for a range of low noise, high linearity applications such as picocell,  
femtocell, tower mounted amplifiers (TMA) and receiver front--end circuits. It  
operates from a single voltage supply and is suitable for applications with  
frequencies from 1000 to 4000 MHz such as CDMA, W--CDMA and LTE.  
1000–4000 MHz, 15.2 dB  
23 dBm, 0.36 NF  
E--pHEMT LNA  
Features  
Ultra Low Noise Figure: 0.39 dB @ 1900 MHz, 0.54 dB @ 2500 MHz  
High Linearity: 34.7 dBm OIP3 @ 1900 MHz, 35.2 dBm @ 2500 MHz  
Frequency: 1000–4000 MHz  
Unconditionally Stable Over Temperature  
P1dB: 22.6 dBm @ 1900 MHz, 22.5 dBm @ 2500 MHz  
Small--Signal Gain: 17.2 dB @ 1900 MHz, 15.2 dB @ 2500 MHz  
Single 5 V Supply  
DFN 2 2  
Power--down Pin  
Supply Current: 60 mA (adjustable externally)  
50 Ohm Operation (some external matching required)  
Cost--effective 8--pin, 2 mm DFN Surface Mount Plastic Package  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
1750 1920 2350 2600 3600  
Characteristic Symbol MHz MHz MHz MHz MHz Unit  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
6
150  
DD  
DD  
Noise Figure  
NF  
0.38 0.39 0.50 0.57 0.98 dB  
–12.0 –12.8 –15.1 –15.9 –10.7 dB  
Supply Current  
I
mA  
dBm  
C  
Input Return  
Loss (S11)  
IRL  
RF Input Power  
P
20  
in  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
stg  
–65 to +150  
175  
Output Return  
Loss (S22)  
ORL –14.4 –14.4 –14.8 –15.3 –20.7 dB  
T
J
C  
Small-Signal  
Gain (S21)  
GP  
17.8 17.2 15.6 14.8 11.7 dB  
Power Output  
@ 1dB  
P1dB 22.9 22.6 22.6 22.5 22.8 dBm  
Compression  
Third Order  
Input Intercept  
Point  
IIP3  
16.5 17.5 19.3 20.7 25.1 dBm  
34.4 34.7 35.0 35.7 37.0 dBm  
Third Order  
Output  
OIP3  
Intercept Point  
1. V = 5 Vdc, T = 25C, 50 ohm system, application circuit  
DD  
A
tuned for specified frequency.  
Table 3. Thermal Characteristics  
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
134  
C/W  
JC  
Case Temperature 87C, 5 Vdc, 65 mA, no RF applied  
1. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.nxp.com/RF and search for AN1955.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2016. All rights reserved.  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GJM1555C1H9R0CB01# MURATA

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GJM1555C1H9R0CB01D MURATA

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 		Chip Monolithic Ceramic Capacitors
GJM1555C1H9R0CB01J MURATA

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 		Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 2.78% +Tol, 2.78% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.
GJM1555C1H9R0DB01 MURATA

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 		Chip Monolithic Ceramic Capacitor High-Q Type for General
GJM1555C1H9R0DB01# MURATA

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