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GI504-E3/54

更新时间： 2024-02-23 16:57:42
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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GI504-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.31
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

GI504-E3/54 数据手册

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GI500, GI501, GI502, GI504, GI506, GI508, GI510  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
General Purpose Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, IR less than 0.1 μA  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of  
compliance please see www.vishay.com/doc?99912  
DO-201AD  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters, and freewheeling diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
Note  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V, 1000 V  
•
These devices are not AEC-Q101 qualified.  
VRRM  
IFSM  
IR  
100 A  
5.0 μA  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
1.1 V  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
150 °C  
DO-201AD  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL GI500 GI501 GI502 GI504 GI506 GI508 GI510 UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 95 °C  
IF(AV)  
3.0  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
100  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 50 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL GI500 GI501 GI502 GI504 GI506 GI508 GI510 UNIT  
TJ = 25 °C  
9.4 A  
1.1  
Maximum instantaneous  
VF  
V
forward voltage  
TJ = 175 °C  
1.0  
5.0  
50  
Maximum DC reverse  
current at rated DC  
blocking voltage  
TA = 25 °C  
IR  
μA  
TA = 100 °C  
Typical reverse  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
trr  
2.0  
28  
μs  
recovery time  
Irr = 0.25 A  
Typical junction  
capacitance  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Revision: 01-Aug-13  
Document Number: 88626  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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