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GI504-E3/54

更新时间: 2024-01-25 03:57:50
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威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

GI504-E3/54 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-201AD
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:1.31
其他特性:FREE WHEELING DIODE应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-201AD
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向恢复时间:2 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
Base Number Matches:1

GI504-E3/54 数据手册

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GI500, GI501, GI502, GI504, GI506, GI508, GI510  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
100  
100  
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
10  
10  
1
1
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Reverse Voltage (V)  
t - Pulse Duration (s)  
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance  
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance  
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)  
DO-201AD  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.210 (5.3)  
0.190 (4.8)  
DIA.  
0.375 (9.5)  
0.285 (7.2)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.052 (1.32)  
0.048 (1.22)  
DIA.  
Revision: 01-Aug-13  
Document Number: 88626  
3
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