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银河微电 - BL Galaxy Electrical | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
2页 | 55K | |
描述 | ||
PLASTIC SILICON RECTIFIER |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.81 | 配置: | SINGLE |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
最大非重复峰值正向电流: | 100 A | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 3 A |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GI508/100-E3 | VISHAY | DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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GI508/4E | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 |
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GI508/4E-E3 | VISHAY | DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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GI508-E3/68 | VISHAY | DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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GI50L02 | GTM | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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GI510 | BL Galaxy Electrical | PLASTIC SILICON RECTIFIER |
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