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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-201AD |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.6 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -50 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GI510-E3/91 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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| GI5706 | GTM |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| GI60L02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI60N03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI60T03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI6679 | GTM |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI70L02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI70N03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI70T03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI750 | VISHAY |
获取价格 |
HIGH CURRENT PLASTIC RECTIFIER |
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