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GF3045MG

更新时间: 2024-11-30 19:02:39
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 184K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 30A, 45V V(RRM),

GF3045MG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.55 V
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:375 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:30 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:IEC-61215
最大重复峰值反向电压:45 V最大反向电流:500 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GF3045MG 数据手册

 浏览型号GF3045MG的Datasheet PDF文件第2页 
GF3045MG  
肖特基二极管 Schottky Diodes  
特征  
Features  
耐正向浪涌能力高  
外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
High surge Forward current capability  
TO-263  
Mounting Pad Layout  
低功耗,大电流  
.200(5.10)  
.159(4.04)  
.452(11.5)  
.452(11.5)  
MAX  
Low Power loss, High efficiency  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
I  
( ) 30A  
F AV  
.334(8.5)  
.413(10.5)  
.382(9.7)  
V  
45V  
BOTH  
SIDES  
.354(9.0)  
.331(8.4)  
.008(0.2)  
RRM  
MAX  
PIN1  
2
3
.394(10.0)  
.238(6.05)  
.193(4.90)  
用途 Applications  
.037(0.94)  
.027(0.68)  
.220(5.60)  
.179(4.55)  
.025(0.64)  
.011(0.28)  
太阳能行业  
Photovoltaic Solar cell Protection  
Schottky Rectifier  
.15(3.81)  
.068(1.75)  
PIN1  
PIN3  
.100(2.54)  
PIN2  
CASE  
Dimensions in inches and (millimeters)  
极限值(绝对最大额定值)  
Limiting ValuesAbsolute Maximum Rating)  
参数名称  
Item  
反向重复峰值电压  
符号  
Symbol  
单位  
Unit  
条件  
Conditions  
GF1640MC  
V
V
45  
30  
RRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
60H 正弦波,电阻负载,T =25℃  
60H sine wave, R- load, T =25℃  
Z a  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output Current  
Z
a
I
A
o
正向(不重复)浪涌电流  
Surge(Non-repetitive)Forward Current  
60H 正弦波,一个周期,T =25℃  
Z
a
I
A
FSM  
300  
375  
60H sine wave, 1 cycle, T =25℃  
Z
a
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持  
续时间的积分值  
Current Squared Time  
2
2
I t  
A s  
1mst8.3ms T =25℃  
j
储存温度  
Storage Temperature  
T
stg  
-55 ~ +150  
在正向直流条件下,没有施加反向压降,通电  
≤1h(图示1)  
结温  
Junction Temperature  
T
j
-55~+200  
IN DC Forward Mode-Forward Operations,  
without reverse bias, t 1 h (Fig. 1)①  
电特性 (T =25℃ 除非另有规定)  
a
Electrical CharacteristicsTa=25Unless otherwise specified)  
参数名称  
Item  
最大值  
Max  
符号  
Symbol  
单位  
Unit  
测试条件  
Test Condition  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
V
V
I FM =30.0A  
0.55  
FM  
I
T =25℃  
0.5  
50  
反向峰值電流  
Peak Reverse Current  
RRM1  
a
mA  
VRM =VRRM  
I
T =100℃  
a
RRM2  
结和壳之间  
Between junction and case  
热阻(典型)  
Thermal Resistance(Typical)  
R
θ
/W  
2.0  
J-c  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
Document Number 0219  
Rev. 1.0, 22-Sep-11  
www.21yangjie.com  

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