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GD50HCU120B3S

更新时间： 2024-04-09 19:02:22
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斯达半导体 - STARPOWER /
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9页 245K
描述
B3.1.Full Bridge

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GD50HCU120B3S 数据手册

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GD50HCU120B3S  
IGBT Module  
Switching Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
Test Conditions  
Min. Typ . Max. Units  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
203  
49  
261  
136  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=50A,  
RG=13Ω,VGE=±15V,  
Tj=25℃  
Eon  
Eoff  
4.20  
1.64  
mJ  
mJ  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
203  
50  
271  
170  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=50A,  
RG=13Ω,VGE=±15V,  
Tj=125℃  
Eon  
Eoff  
5.50  
2.41  
mJ  
mJ  
Cies  
Coes  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
3.45  
0.52  
nF  
nF  
VCE=25V,f=1MHz,  
VGE=0V  
Cres  
0.23  
nF  
tP≤10μs,VGE=15 V,  
Tj=125℃,V CC=900V,  
VCEM≤1200V  
ISC  
SC Data  
440  
A
VCC=600V,IC=50A,  
VGE=-15﹍+15V  
QG  
Gate Charge  
0.63  
/
μC  
Ω
RGint  
Internal Gate Resistance  
Diode-inverter TC=25℃ unless otherwise noted  
Maximum Rated Values  
Symbol  
VRRM  
IF  
Description  
Repetitive Peak Reverse Voltage @ Tj=25℃  
DC Forward Current  
GD50HCU120B3S  
Units  
V
A
1200  
50  
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current tp=1ms  
100  
A
Characteristics Values  
Symbol  
Parameter  
Diode Forward  
Vol tage  
Recovered  
Charge  
Peak Reverse  
Recovery Current RG=13Ω,  
Reverse Recovery  
Energy  
Test Conditions  
Min. Typ . Max. Units  
Tj=25℃  
1.82 2.27  
1.95  
VF  
IF=50A  
V
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
3.5  
μC  
6.7  
Qr  
IF=50A,  
41  
56  
VR=600V,  
IRM  
Erec  
A
VGE=-15V  
1.38  
3.16  
mJ  
©2012 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
11/9/2012  
3/9  
Rev.A  
1234567...9

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