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GD50HFY120C1S PDF预览

GD50HFY120C1S

更新时间： 2024-04-09 19:02:31

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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9页	200K
描述
C1.0-Half Bridge

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GD50HFY120C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD50HFY120C1S

1200V/50A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2016 STARPOWER Semiconductor Ltd.

1/27/2016

1/9

SN0A

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD50HHU60C5S	STARPOWER	C5.4.full bridge	获取价格
GD50K-DIE	ETC	ASIC	获取价格
GD50K-TAB-DIE	ETC	ASIC	获取价格
GD50MLT60F1S	STARPOWER	F1.2.3-level	获取价格
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