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GD50HFF120C1S

更新时间： 2024-04-09 18:59:04

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C1.0-Half Bridge

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GD50HFF120C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD50HFF120C1S

1200V/50A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

electronic welder and inductive heating.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

_CE(sat)with positive temperature coefficient

V

Low switching losses

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Switching mode power supply

Inductive heating

Electronic welder

Equivalent Circuit Schematic

©2016 STARPOWER Semiconductor Ltd.

4/27/2016

1/9

UX0A

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD50HFL120C1S	HB	1200V/50A 2 in one-package	获取价格
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