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GD50HFU120C1S

更新时间： 2024-04-09 18:59:14

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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C1.0.Half Bridge

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GD50HFU120C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD50HFU120C1S

1200V/50A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

switching speed as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

electronic welder and inductive heating.

Features















NPT IGBT technology

10μs short circuit capability

Low switching losses

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Switching mode power supply

Inductive heating

Electronic welder

Equivalent Circuit Schematic

©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.

8/27/2014

1/6

Preliminary

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD50HFX65C1S	STARPOWER	C1.0-Half Bridge	获取价格
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GD50HHU120C5S	STARPOWER	C5.4.full bridge	获取价格
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