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GD20PIK60C5S

更新时间： 2024-04-09 18:58:57

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C5.0.PIM

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GD20PIK60C5S 数据手册

GD20PIK60C5S

IGBT Module

Diode-inverter Characteristics T_C=25℃ unless otherwise noted

Symbol

V_F

Parameter

Diode Forward

Vol tage

Test Conditions

I_F=20A,V_GE=0V,T_j=25℃

I_F=20A,V_GE=0V,T_j=125℃

Min. Typ . Max. Unit

1.30 1.75

1.25

Q_r

Recovered Charge

Peak Reverse

Recovery Current -di/dt=1400A/μs,V_GE=-15V

1.1

μC

V_R=300V,I_F=20A,

I_RM

T_j=25℃

Reverse Recovery

Energy

Recovered Charge

E_rec

Q_r

0.27

1.7

μC

Peak Reverse

V_R=300V,I_F=20A,

Recovery Current -di/dt=1400A/μs,V_GE=-15V

I_RM

T_j=125℃

Reverse Recovery

Energy

E_rec

0.43

Diode-rectifier Characteristics T_C=25℃ unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Diode Forward

Vol tage

Test Conditions

I_F=20A,V_GE=0V,T_j=150℃

T_j=150℃,V_R=1600V

Min. Typ . Max. Unit

V_F

I_R

1.04

Reverse Current

2.0

1/29/2014

4/12

NI01

1 2 345 6 7...12

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