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GD15PIK120E1S

更新时间： 2024-04-09 18:59:18

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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E1.0.PIM

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GD15PIK120E1S 数据手册

GD15PIK120E1S

IGBT Module

DIODE-rectifier T_C=25℃unless otherwise noted

Maximum Rated Values

Symbol

Description

Collector-Emitter Voltage @ T_j=25℃

Forward Current RMS Maximum Per Diode

@ T_C=80℃

GD15PIK120E1S

Units

V_RRM

1600

I_{F RMSM}

I _RMSM

Maximum RMS Current at Rectifier output

@ T_C=80℃

I_FSM

I²t

Surge Forward Current V_R=0V, t_p=10ms,T_j=150℃

I²t-value,V_R=0V, t_p=10ms, T_j=150℃

270

380

A²s

Characteristics Values

Symbol

Parameter

Diode Forward

Voltage

Test Conditions

I_F=50A,T_j=125℃

T_j=150℃,V_R=1600V

Min. Typ. Max. Units

V_F

I_R

1.37

2.0

Reverse Current

Electrical Characteristics of NTC ^T_C^{=25℃unless otherwise noted}

Symbol

R₂₅

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Units

Rated Resistance

Deviation of R₁₀₀

Power Dissipation

5.0

kΩ

∆R/R

P₂₅

R₁₀₀=493.3Ω

-5

20.0

R₂=R₂₅exp[B_25/50(1/T₂-1/(298.1

5K))]

B_25/50

B-value

3375

10/9/2010

4/7

Preliminary

1 2 345 6 7

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