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GD15PJY120L2SF

更新时间： 2024-04-09 18:59:30

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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13页	376K
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L2.5-PIM

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GD15PJY120L2SF 数据手册

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GD15PJY120L2SF

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD15PJY120L2SF

1200V/15A PIM in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features

















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated heatsink using DBC technology

PressFIT contact technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.

7/10/2018

1/13

SX0A

12 3 4 5 6 7...13

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