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GBU6M PDF预览

GBU6M

更新时间： 2024-02-23 10:27:59
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页数 文件大小 规格书
2页 201K
描述
Molding Single-Phase Bridge Rectifier

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GBU6M 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.56
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：175 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GBU6M 数据手册

 浏览型号GBU6M的Datasheet PDF文件第2页 
GBU6A ~ GBU6M  
50 V ~ 1000 V  
6.0 Amp High Current Glass Passivated  
Molding Single-Phase Bridge Rectifier  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen-free and RoHS Compliant  
GBU  
FEATURES  
Plastic Package has Underwriters  
Laboratory Flammability Classification 94V-0  
This series is UL listed under the Recognized  
Component index, file number E231047  
Single-in-line package  
High current capacity with small package  
Superior thermal conductivity  
High temperature soldering guaranted：  
260°C / 10 seconds  
A
E
P
C
Q
F
B
D
N
O
G
High IFSM  
L
H
J
M
K
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
22.20  
19.10  
3.53  
Min.  
Max.  
0.56  
5.30  
2.54  
2.03  
A
B
C
D
21.80  
18.30  
3.37  
J
K
L
0.46  
4.80  
2.16  
1.65  
17.27  
18.29  
M
E
F
3.2 x 45°  
N
O
P
1.45  
0.90  
1.85  
1.20  
3.70  
5.70  
2.30  
3.90  
5.90  
2.70  
G
H
9.80  
10.20  
11.10  
Q
10.90  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PART NUMBERS  
SYMBOL  
UNITS  
PARAMETERS  
GBU  
6A  
GBU  
6B  
GBU GBU GBU  
GBU  
GBU  
6M  
6D  
6G  
6J  
6K  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
Maximum repetitive voltage  
VRM  
IR  
1000  
V
@TA=25°C  
5  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
A  
@TA=125°C  
500  
Average rectified forward current 60Hz Sine  
wave Resistance load with heatsink  
@TC=100°C  
IO  
6
A
Peak Forward Surge Current, 10.0ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
175  
A
Dielectric strength terminals to case,  
AC 1 minute Current 1mA  
Vdia  
2.5  
1
KV  
VF  
Maximum instantaneous forward voltage at 3A  
Operating and Storage Temperature Range  
V
TJ , TSTG  
150 , -55 ~ 150  
°C  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
03-Aug-2010 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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与GBU6M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU6M/72-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU6M-BP MCC

获取价格

 		6 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU6M-BP-HF MCC

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
GBU6M-E3/22 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
GBU6M-E3/45 VISHAY

获取价格

 		Diode Rectifier Bridge Single 1KV 6A 4-Pin Case GBU Tube
GBU6M-E3/51 VISHAY

获取价格

 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6M-E3/72 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM),
GBU6MS MCC

获取价格
GBU800 FCI

获取价格

 		8.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge
GBU8005 FORMOSA

获取价格

 		SURFACE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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