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GBU6D PDF预览

GBU6D

更新时间： 2024-01-10 16:23:17
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CHENG-YI 二极管IOT局域网
页数 文件大小 规格书
2页 169K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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GBU6D 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.56
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：175 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GBU6D 数据手册

 浏览型号GBU6D的Datasheet PDF文件第2页 
GBU6A thru GBU6M SERIES  
SSIILLIICCOONN BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
GGLLAASSSS PPAASSSSIIVVAATTEEDD  
CCHHEENNGG--YYII  
BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
ELECTRONIC  
REVERSE VOLTAGE -50 to 1000 Volts  
FORWARD CURRENT -6.0 Amperes  
FEATURES  
Surge overload rating-175 amperes peak  
Ideal for printed circuit board  
Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
Plastic material has Underwriters Laboratory  
Flammability classification 94V-O  
Mounting Position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBU6A  
GBU6B GBU6D GBU6G GBU6J  
GBU6K GBU6M  
UNITS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
100  
1000  
6.0  
2.8  
Maximum Average Forward (with heatsink Note2)  
I(AV)  
A
0
Rectified Current @ T =100 C (without heatsink)  
C
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half sine-wave  
IFSM  
175  
A
superimposed on rated load(JEDEC Method)  
V
1.0  
5.0  
V
F
Maximum DC Forward Voltage at 3.0A DC  
0
=25 C  
T
A
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
@
@
IR  
A
0
=125 C  
T
A
500  
2
2
2
A S  
I t Rating for fusing (t<8.3ms)  
127  
I t  
C
J
F
P
Typical Junction Capacitance per element(Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
50  
0
2.2  
R
JC  
C/W  
0
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
C
0
TSTG  
Storage Temperature Range  
C
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 75mm x 75mm X 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
12

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与GBU6D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU6D/51 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN
GBU6D-BP MCC

获取价格

 		6 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU6D-BP-HF MCC

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
GBU6D-E3 VISHAY

获取价格

 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6D-E3/1 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectif
GBU6D-E3/45 VISHAY

获取价格

 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6D-E3/51 VISHAY

获取价格

 		Diode Rectifier Bridge Single 200V 6A 4-Pin Case GBU Bulk
GBU6D-LF SURGE

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 		Bridge Rectifier Diode,
GBU6G ONSEMI

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 		6 A 桥式整流器
GBU6G FAIRCHILD

获取价格

 		6.0 Ampere Bridge Rectifiers

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