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GBU4G

更新时间： 2024-01-04 23:30:33
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CHENG-YI 二极管局域网
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2页 169K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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GBU4G 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.02
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

GBU4G 数据手册

 浏览型号GBU4G的Datasheet PDF文件第2页 
GBU4A thru GBU4M SERIES  
SSIILLIICCOONN BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
GGLLAASSSS PPAASSSSIIVVAATTEEDD  
CCHHEENNGG--YYII  
BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
ELECTRONIC  
REVERSE VOLTAGE -50 to 1000 Volts  
FORWARD CURRENT -4.0 Amperes  
FEATURES  
Surge overload rating-150 amperes peak  
Ideal for printed circuit board  
Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
Plastic material has Underwriters Laboratory  
Flammability classification 94V-O  
Mounting Position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBU4A  
GBU4B GBU4D GBU4G GBU4J  
GBU4K GBU4M  
UNITS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
100  
1000  
4.0  
2.4  
Maximum Average Forward (with heatsink Note2)  
I(AV)  
A
0
Rectified Current @ T =100 C (without heatsink)  
C
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half sine-wave  
IFSM  
150  
A
superimposed on rated load(JEDEC Method)  
V
F
1.0  
V
Maximum DC Forward Voltage at 2.0A DC  
0
=25 C  
T
5.0  
500  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
@
@
A
IR  
A
0
=100 C  
T
A
2
2
2
A S  
I t Rating for fusing (t<8.3ms)  
93  
I t  
C
J
F
P
Typical Junction Capacitance per element(Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
45  
0
2.2  
R
JC  
C/W  
0
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
C
0
TSTG  
Storage Temperature Range  
C
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 50mm x 50mm X 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
12

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与GBU4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU4G-BP MCC

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 		4 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU4G-BP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
GBU4G-E3/1 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectif
GBU4G-E3/22 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE G
GBU4G-E3/45 VISHAY

获取价格

 		Diode Rectifier Bridge Single 400V 4A 4-Pin Case GBU Tube
GBU4G-E3/51 VISHAY

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 		Diode Rectifier Bridge Single 400V 4A 4-Pin Case GBU Bulk
GBU4GE3-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectif
GBU4G-G SENSITRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 400V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, GBU, 4 PIN
GBU4G-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, S
GBU4J GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 4.0A

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