GBU4G

更新时间： 2024-02-16 18:59:55

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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GBU4G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.02
其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	1000 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

GBU4G 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

GBU4A ~ GBU4M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 4.0 Amperes

0.125(3.2)x45°

0.880 (22.3)

0.860 (21.8)

0.140 (3.56)

0.130 (3.30)

CHAMFER

0.160 (4.1)

0.140 (3.5)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

0.075 (1.9)

0.060 (1.5)

0.050 (1.27)

0.040 (1.02)

* Very good heat dissipation

* Pb / RoHS Free

0.210 (5.33)

0.190 (4.83)

0.022 (0.56)

0.018 (0.46)

MECHANICAL DATA :

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-705, Method 2026

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and (millimeters)

* Weight : 4.0 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU

RATING

SYMBOL

UNIT

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

V^RMS

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 400 600 800 1000

4.0

I^F(AV)

Maximum Average Forward Rectified Current Tc = 100°C

Maximum Peak Forward Surge Current

( 50 Hz, Half-cycle, Sinwave, Single Shot )

Maximum Instantaneous Forward Voltage drop

per leg at I^F= 4.0 A

IFSM

1.0

IR(H)

5.0

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Tj = 25 °C

500

Tj = 100 °C

Typical junction Capacitance per leg (Note 3)

101

Typical Thermal Resistance, Junction to Case (Note 1)

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

2.5

°C/W

°C

RqJC

RqJA

Tj , TSTG

- 55 to + 150

Notes : 1. Unit case mounted on 1.6"x1.6"x0.06" THK (4.0x4.0x0.15cm) Al. Plate.

2. Units mounted on P.C. Board with 0.5"x0.5" (12mmx15mm) copper pads and 0.375"(9.5mm) lead lengths.

3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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与GBU4G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU4G-BP	MCC	获取价格	4 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU4G-BP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
GBU4G-E3/1	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectif
GBU4G-E3/22	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE G
GBU4G-E3/45	VISHAY	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 400V 4A 4-Pin Case GBU Tube
GBU4G-E3/51	VISHAY	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 400V 4A 4-Pin Case GBU Bulk
GBU4GE3-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectif
GBU4G-G	SENSITRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 400V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, GBU, 4 PIN
GBU4G-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, S
GBU4J	GULFSEMI	获取价格	SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 4.0A

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