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GBU2501

更新时间： 2024-02-17 09:43:49
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 268K
描述
Molding Single-Phase Bridge Rectifier

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GBU2501 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：100 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

GBU2501 数据手册

 浏览型号GBU2501的Datasheet PDF文件第2页 
GBU25005 ~ GBU2510  
50 V ~ 1000 V  
25.0 Amp High Current Glass Passivated  
Molding Single-Phase Bridge Rectifier  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen-free and RoHS Compliant  
GBU  
FEATURES  
Surge overload rating -350 amperes peak  
Ideal for printed circuit board  
Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
Plastic material has U/L  
flammability classification 94V-0  
Mounting position：Any  
A
E
P
C
Q
F
B
D
N
O
G
L
H
J
M
K
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
22.20  
19.10  
3.53  
Min.  
Max.  
0.56  
5.30  
2.54  
2.03  
A
B
C
D
21.80  
18.30  
3.37  
J
K
L
0.46  
4.80  
2.16  
1.65  
17.27  
18.29  
M
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave , 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
E
F
3.2 x 45°  
N
O
P
1.45  
0.90  
1.85  
1.20  
3.70  
5.70  
2.30  
3.90  
5.90  
2.70  
G
H
9.80  
10.20  
11.10  
Q
10.90  
PART NUMBERS  
SYMBOL  
UNITS  
PARAMETERS  
GBU  
GBU  
GBU GBU GBU GBU GBU  
2502 2504 2506 2508 2510  
25005 2501  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
10.0  
500  
@TJ=25°C  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
IR  
A  
@TJ=125°C  
Maximum Average Forward  
(with heatsink Note 2)  
Rectified Current @TC=100°C  
(without heatsink)  
25.0  
4.2  
I(AV)  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
l2t  
350  
200  
1.1  
A
A2s  
V
Rating For Fusing (t < 8.3ms)  
Maximum Forward Voltage @ 12.5A DC  
VF  
Typical Junction Capacitance Per Element  
(Note 1)  
CJ  
70  
pF  
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
2.2  
°C / W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ , TSTG  
-55 ~ 150  
Notes：  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 100mm * 100mm * 1.6mm Cu plate heatsink.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Oct-2010 Rev. A  
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12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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