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GBU2504-G

更新时间： 2024-01-30 12:19:40

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描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBU2504-G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	400 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	350 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	4.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

GBU2504-G 数据手册

Glass Passivated Bridge Rectifiers

GBU25005-G Thru. GBU2510-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 25.0A

RoHS Device

GBU

Features

-Surge overload rating - 350 amperes peak.

0.437(11.1)

0.430(10.9)

0.139(3.53)

0.133(3.37)

0.874(22.2)

0.860(21.8)

0.126(3.2)*45°

Chamfer

-Ideal for printed circuit board

0.161(4.1)

0.134(3.4)

0.232(5.90)

0.213(5.40)

0.752(19.1)

0.720(18.3)

0.401(10.2)

0.073(1.85)

0.057(1.45)

0.392(9.80)

Mechanical Data

-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.

-Case: Molded plastic, GBU

-Mounting position: Any

0.100(2.54)

0.085(2.16)

0.720(18.29)

0.680(17.27)

0.047(1.2)

0.035(0.9)

0.106(2.7)

0.091(2.3)

0.080(2.03)

0.065(1.65)

0.022(0.56)

0.018(0.46)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

-Weight: 3.91grams

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

GBU

Symbol

Parameter

Unit

25005-G 2501-G 2502-G 2504-G 2506-G 2508-G 2510-G

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

RRM

RMS

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum RMS Voltage

100

1000

Maximum DC Blocking Voltage

25.0

4.2

Maximum Average Forward (With heatsink Note2)

Rectified Current @Tc=100°C (without hestsink)

(AV)

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed On Rated Load

IFSM

350

Maximum Forward Voltage at 12.5A

1.1

@TJ=25°C

@TJ=125°C

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

At Rate DC Blocking Voltage

μA

I²T Rating for Fusing(t<8.3ms)

A²s

I²t

200

Typical Junction Capacitandce Per Element

(Note 1)

Typical Thermal Resistance

RθJA

2.2

°C/W

°C

Operating Temperature Range

-55 to +150

Storage Temperature Range

Notes:

TSTG

°C

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.

REV:A

Page 1

QW-BBR59

Comchip Technology CO., LTD.

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与GBU2504-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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