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GBJ5008-BP-HF

更新时间: 2024-01-08 20:49:38
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Bridge Rectifier Diode,

GBJ5008-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.73其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:800 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XSFM-T4湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

GBJ5008-BP-HF 数据手册

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M C C  
R
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES  
GBJ50005 thru GBJ5010  
Micro Commercial Components  
FIG1:Io-Tc Curve  
FIG2:Surge Forward Current Capadility  
400  
300  
150  
0
sine wave  
Tc  
heatsink  
70  
60  
sine wave R-load  
with heatsink  
0
8.3ms 8.3ms  
1cycle  
50  
non-repetitive  
Tj=25℃  
40  
30  
20  
10  
0
70  
80  
90 100 110 120 130 140 150 160  
1
2
5
10  
20  
50  
100  
Number of Cycles  
Tc()  
FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS  
FIG4:Typical Reverse Characteristics  
100  
Tj=150℃  
100  
10  
1.0  
20.0  
10.0  
2.0  
1.0  
Tj=25℃  
TJ=25℃  
Pulse width=300us  
1% Duty Cycle  
0.1  
0.2  
0.1  
1.4  
0.01  
1.0  
1.2  
1.6  
0.4  
0.6  
0.8  
1.8  
VF(V)  
100  
0
20  
40  
60  
80  
Voltage(%)  
www.mccsemi.com  
2 of 3  
2016/02/16  
Revision: B  

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