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GBJ3504-G

更新时间： 2024-01-28 09:14:16

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上华 - COMCHIP		局域网二极管
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3页	88K
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Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBJ3504-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	400 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBJ3504-G 数据手册

Glass Passivated Bridge Rectifiers

Rating and Characteristics Curves (GBJ35005-G Thru. GBJ3510-G)

Fig.2 - Maximum Non-Repetitive

Fig.1 - Forward Current Derating Curve

Surge Current

400

350

300

250

200

150

100

WITH HEAKSINK

TJ=150°C

SINGLE-SINE-WAVE

(JEDEC METHOD)

SINGLECPHASE HALF WAVE 60HZ

RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

WITHOCUT HEA SINK

80 100 120 140

100

Case Temperature, (°C)

Number of cycles at 60Hz

Fig.3 - Typical Reverse Characteristics

Fig.4 - Typical Forward Characteristics

1000

100

TJ=125°C

TJ=100°C

1.0

TJ=25°CC

Pulse width: 300us

TJ=50°^OCC

TJ=25°C

1.0

0.1

0.01

100

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

Instantaneous Forward Voltage, (V)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage, (%)

Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.

REV: A

Page 2

QW-BBR88

Comchip Technology CO., LTD.

123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBJ3504H	NELLSEMI	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBJ3504P	MCC	获取价格	DIODE 35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, GBJ, 4 PIN, Bridge Rectifier
GBJ3506	MCC	获取价格	35 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBJ3506	TAITRON	获取价格	Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifier
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