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GBJ2506F

更新时间： 2024-02-14 04:26:37

品牌	Logo	应用领域
虹扬 - HY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4.2A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBJ, 4 PIN

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技术参数
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GBJ2506F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.14
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	4.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

GBJ2506F 数据手册

RATING AND CHARACTERTIC CURVES

GBJ2506F

FIG.1-FORWARD CURRENT DERATING CURVE

FIG.2-MAXMUN NON-REPETITIVE

SURGE CURRENT

WITH HEATSINK

350

300

250

SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz

15 RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

200

150

WITHOUT HEATSINK

TJ=25°C

100

SINGLE -SINE- WAVE

(JEDEC METHOD)

100

120

140

CASE TEMPERATURE, °C

100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.4-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS

FIG.3-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

100

1000

100

1.0

TJ = 25°C

PULSE WIDTH 300us

0.1

TJ=25°C,f=1MHZ

1.0

0.01

1.0

10.0

100

0.8

1.0

1.4

1.8

0.2

0.4 0.6

1.2

1.6

REVERSE VOLTAGE,(VOLTS)

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS

FIG.5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

1000

100

TJ=125°C

TJ=100°C

1.0

0.1

TJ=50°C

TJ=25°C

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)

100

REV. 1, 18-Oct-2013

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与GBJ2506F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBJ2506-F	DIODES	25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ2506G	DYELEC	SINGLE PHASE 25AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ2506-G	COMCHIP	Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
GBJ2506T	DYELEC	SINGLE PHASE 25AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ2507	UNIOHM	SINGLE PHASE 25.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBJ2508	HY	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格