是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TO-18 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 主体高度: | 3.6 mm |
主体长度或直径: | 4.7 mm | 最大暗电源: | 1e-7 nA |
光纤设备类型: | PHOTODIODE DETECTOR | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称工作波长: | 850 nm | 封装形式: | TO-18 |
光谱宽度: | 660 nm | 标称供电电压: | 10 V |
表面贴装: | NO | 传输类型: | DIGITAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
G4176-02 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic | |
G4176E | HAMAMATSU |
获取价格 |
ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS G4176 SERIES (GaAs) | |
G41S20A | ALTECH |
获取价格 |
Mains Power Connector, | |
G41S50A | ALTECH |
获取价格 |
Mains Power Connector, | |
G41S60A | ALTECH |
获取价格 |
Mains Power Connector, | |
G42 | EUROQUARTZ |
获取价格 |
11.4 x 9.6 x 2.5mm 4 pad SMD | |
G420SD | GTM |
获取价格 |
SURFACE MOUNT, SCHOTTKY BARRIER DIODE VOLTAGE 40V, CURRENT 0.1A | |
G42100B1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, | |
G42100B1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, | |
G42100B1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |