5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.5 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X | JESD-609代码： | e0 |
| 相数： | 1 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G34120C1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G34120C1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| G34120C1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G34120C1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G34120C1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G34120C1TBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G34120D1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| G34120D1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G34120D1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G34120D1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
