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FZTA63 PDF预览

FZTA63

更新时间： 2024-01-03 15:31:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223

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FZTA63 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.24
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：5000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

FZTA63 数据手册

 浏览型号FZTA63的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
DARLINGTON TRANSISTORS  
FZTA63  
FZTA64  
ISSUE 4– MARCH 1996  
✪
4
PARTMARKING DETAILS:  
COMPLIMENTARY TYPES:  
FULL DEVICE TYPE  
3
FZTA63 = FZTA13  
FZTA64 = FZTA14  
2
1
SOT223  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-30  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-10  
V
Peak Pulse Current  
-800  
mA  
mA  
mA  
W
Continuous Collector Current  
Peak Base Current  
IC  
-500  
IBM  
-200  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO -30  
IC=-10µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-30  
-10  
V
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-10µA, IC=0  
VCB=-30V, IE=0  
VEB=-10V, IC=0  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
nA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-100  
-1.5  
nA  
V
Collector-Emitter Saturation VCE(sat)  
Voltage  
IC=-100mA, IB=-0.1mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-2.0  
V
IC=-100mA, IB=-0.1mA*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
FZTA63  
FZTA64  
hFE  
5K  
10K  
IC=-10mA, VCE=-5V  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
10K  
20K  
IC=-10mA, VCE=-5V  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
125  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-5V  
f=20MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3 - 303  
12

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