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FZTA92

更新时间： 2024-11-15 22:48:55
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FZTA92 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.14Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

FZTA92 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FZTA92  
ISSUE 2 – JANUARY 1996  
✪
FEATURES  
*
High breakdown voltage  
C
APPLICATIONS  
*
Suitable for video output stages in TV sets  
and switch mode power supplies  
E
C
COMPLIMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZTA42  
B
DEVICE TYPE IN FULL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IB  
VALUE  
-300  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-300  
V
-5  
V
Base Current  
-100  
mA  
mA  
W
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-500  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-300  
-300  
-5  
V
IC=-100µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0*  
IE=-100µA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-0.25  
V
CB=-200V, IE=0  
µA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
-0.1  
-0.5  
V
EB=-3V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=-20mA, IB=-2mA  
IC=-20mA, IB=-2mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.9  
V
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
25  
40  
25  
IC=-1mA, VCE=-10V*  
IC=-10mA, VCE=-10V*  
IC=-30mA, VCE=-10V*  
Transition  
Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
6
VCB=-20V, f=1MHz  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.  
3 - 305  
1

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