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FZTA64 PDF预览

FZTA64

更新时间： 2024-01-09 07:02:01
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管达林顿晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS

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FZTA64 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.22
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

FZTA64 数据手册

 浏览型号FZTA64的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
DARLINGTON TRANSISTORS  
FZTA64  
ISSUE 5– MARCH 2001  
✪
4
PARTMARKING DETAILS:  
COMPLIMENTARY TYPE:  
FZTA64  
FZTA14  
3
2
1
SOT223  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-30  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-10  
V
Peak Pulse Current  
-800  
mA  
mA  
mA  
W
Continuous Collector Current  
Peak Base Current  
IC  
-500  
IBM  
-200  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-30  
V
IC=-10µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
-30  
-10  
V
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-10µA, IC=0  
VCB=-30V, IE=0  
VEB=-10V, IC=0  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
nA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-100  
-1.5  
nA  
V
Collector-Emitter Saturation VCE(sat)  
Voltage  
IC=-100mA, IB=-0.1mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-2.0  
V
IC=-100mA, IB=-0.1mA*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
10K  
20K  
IC=-10mA, VCE=-5V  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
125  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-5V  
f=20MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
TBA  
12

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