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FX852

更新时间： 2024-02-13 04:41:24
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三洋 - SANYO 晶体转换器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 137K
描述
DC-DC Converter Applications

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FX852 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, R-PDFP-F6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDFP-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FX852 数据手册

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FX852  
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Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
[MOSFET]  
D-S Breakdown Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
D GS  
30  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
I
V
V
V
V
I
=30V, V =0  
100  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±12V, V =0  
DS  
=10V, I =1mA  
D
=10V, I =1A  
D
±10  
2.0  
GSS  
V
1.0  
1.2  
GS(off)  
| Y  
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source ON-State Resistance  
|
2.0  
0.18  
0.25  
170  
100  
30  
S
fs  
R
=1A, V =10V  
GS  
0.25  
0.38  
Ω
DS(on)  
D
R
I
=1A, V =4V  
D GS  
Ω
DS(on)  
Ciss  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
V
V
V
=10V, f=1MHz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DS  
Coss  
Crss  
=10V, f=1MHz  
DS  
=10V, f=1MHz  
DS  
t
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
I =2A, V =0  
7
d(on)  
t
11  
r
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t
35  
d(off)  
t
f
25  
Diode Forward Voltage  
[SBD]  
V
1.0  
SD  
S
GS  
Reverse Voltage  
V
R
V
F
I
=300µA  
30  
V
V
R
Forward Voltage  
I =700mA  
0.55  
80  
F
Reverse Current  
I
V
V
=15V  
µA  
pF  
R
R
Interterminal Capacitance  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
C
=10V, f=1MHz Cycle  
26  
R
trr  
I =I =100mA, See specified Test CIrcuit  
Mounted on ceramic board (750mm2×0.8mm)  
10  
ns  
F
R
Rthj-a  
100  
˚C/W  
Switching Time Test CIrcuit [MOSFET]  
Trr Test Circuit  
[SBD]  
No.4892-2/4  
1234

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