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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | 2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 30 pF | JESD-30 代码： | R-PSFM-T12 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 32 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FT6110D | FUJITSU | 2A, 120V, 1.7ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, RM-65, 12 PIN |
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| FT6116 | ETC | 2K X 8 CMOS SRAM |
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| FT6120 | FUJITSU | 1.5A, 120V, 1.7ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, RM-67, 12 PIN |
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| FT6120D | FUJITSU | 1.5A, 120V, 1.7ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, RM-67, 12 PIN |
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| FT6121 | FUJITSU | 2.5A, 120V, 0.75ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, RM-67, 12 PIN |
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| FT6121D | FUJITSU | 2.5A, 120V, 0.75ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, RM-67, 12 PIN |
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