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FST60100DE3

更新时间: 2024-12-02 09:45:11
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon

FST60100DE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XSFM-T9
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XSFM-T9最大非重复峰值正向电流:1200 A
元件数量:2相数:1
端子数量:9最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:60 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

FST60100DE3 数据手册

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