FS7KM-12

更新时间： 2024-11-17 22:22:35

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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4页	48K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS7KM-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	21 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS7KM-12 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS7KM-12

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS7KM-12

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10 ± 0.3

2.8 ± 0.2

φ 3.2 ± 0.2

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

1 2 3

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

¡VDSS ................................................................................ 600V

¡rDS (ON) (MAX) ................................................................. 1.3Ω

¡ID ............................................................................................ 7A

¡Viso ................................................................................ 2000V

TO-220FN

APPLICATION

SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power

supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-

sonal computer etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

600

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

°C

Vrms

Tch

–55 ~ +150

2000

Tstg

Viso

—

AC for 1minute, Terminal to case

Typical value

Weight

2.0

Feb.1999

12 3 4

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