FS70SMJ-06

更新时间： 2024-02-09 16:53:44

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS70SMJ-06 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.0084 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS70SMJ-06 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS70SMJ-06

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS70SMJ-06

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

15.9MAX.

1.5

f 3.2

4.4

1.0

5.45

0.6

2.8

w r

¡4V DRIVE

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................. 60V

¡rDS (ON) (MAX) ................................................................7mΩ

¡ID ........................................................................................ 70A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............ 90ns

TO-3P

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

280

Avalanche drain current (Pulsed) L = 100µH

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

280

150

°C

Tch

–55 ~ +150

4.8

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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