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FS35R12W1T7_B11

更新时间： 2024-11-25 21:09:55

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英飞凌 - INFINEON		栅
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11页	806K
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FS35R12W1T7_B11 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
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FS35R12W1T7_B11 数据手册

FS35R12W1T7_B11

EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 35A / I_CRM= 70A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hilfsumrichter

PotentialꢀApplications

• Auxiliaryꢀinverters

• Airꢀconditioning

• Motorꢀdrives

• Klimaanlagen

• Motorantriebe

• Servoumrichter

• USV-Systeme

• Servoꢀdrives

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• NiedrigesꢀV_CEsat

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

ElectricalꢀFeatures

• LowꢀV_CEsat

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

• Überlastbetriebꢀbisꢀzuꢀ175°C

• Overloadꢀoperationꢀupꢀtoꢀ175°C

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance

Widerstand

• HoheꢀLeistungsdichte

• KompaktesꢀDesign

• Highꢀpowerꢀdensity

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.0

www.infineon.com

2019-10-30

12 3 4 5 6 7...11

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