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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS14SM-12
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FS14SM-12

更新时间： 2024-02-01 11:03:14
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 84K
描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

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FS14SM-12 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.38
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS14SM-12 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS14SM-12  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
ON-STATE VOLTAGE VS.  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
(TYPICAL)  
ON-STATE RESISTANCE VS.  
DRAIN CURRENT  
(TYPICAL)  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
40  
32  
24  
16  
8
T
C
= 25°C  
T
C
= 25°C  
Pulse Test  
Pulse Test  
V
GS = 20V  
10V  
I
D
= 25A  
20A  
14A  
7A  
0.2  
0
0
0
4
8
12  
16  
20  
10–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
VGS (V)  
DRAIN CURRENT ID (A)  
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE  
VS.DRAIN CURRENT  
(TYPICAL)  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
40  
32  
24  
16  
8
102  
7
5
VDS = 10V  
T
V
C
= 25°C  
DS = 50V  
Pulse Test  
Pulse Test  
3
2
101  
7
5
TC = 25°C  
75°C  
3
2
125°C  
0
100  
0
4
8
12  
16  
20  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
VGS (V)  
DRAIN CURRENT ID (A)  
CAPACITANCE VS.  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
(TYPICAL)  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
5
103  
7
5
Tch = 25°C  
3
2
Ciss  
V
DD = 200V  
GS = 10V  
V
R
GEN = RGS = 50Ω  
103  
7
3
2
td(off)  
5
3
2
102  
7
5
t
f
Coss  
Crss  
t
r
102  
7
t
d(on)  
5
3
2
3
2
Tch = 25°C  
f = 1MHz  
V
GS = 0V  
101  
101  
2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE DS (V)  
V
DRAIN CURRENT  
ID (A)  
Feb.1999  
12345

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