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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS14SM-12
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FS14SM-12

更新时间： 2024-02-24 14:49:44
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 84K
描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

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FS14SM-12 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.38
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS14SM-12 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS14SM-12  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tch = 25°C)  
Symbol Parameter  
Limits  
Unit  
Test conditions  
Min.  
600  
±30  
—
Typ.  
—
Max.  
—
ID = 1mA, VGS = 0V  
V
V
(BR) DSS Drain-source breakdown voltage  
(BR) GSS Gate-source breakdown voltage  
V
V
IG = ±100µA, VDS = 0V  
VGS = ±25V, VDS = 0V  
VDS = 600V, VGS = 0V  
ID = 1mA, VDS = 10V  
ID = 7A, VGS = 10V  
ID = 7A, VGS = 10V  
ID = 7A, VDS = 10V  
—
—
IGSS  
IDSS  
Gate-source leakage current  
Drain-source leakage current  
Gate-source threshold voltage  
Drain-source on-state resistance  
Drain-source on-state voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
—
±10  
1
µA  
mA  
V
—
—
VGS (th)  
rDS (ON)  
VDS (ON)  
yfs  
2
3
4
—
0.46  
3.2  
9.0  
2100  
250  
40  
0.60  
4.2  
—
Ω
—
V
6.0  
—
S
Ciss  
—
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz  
Coss  
Crss  
Output capacitance  
—
—
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
—
—
td (on)  
tr  
—
40  
—
Rise time  
—
60  
—
VDD = 200V, ID = 7A, VGS = 10V, RGEN = RGS = 50Ω  
td (off)  
tf  
Turn-off delay time  
—
200  
70  
—
Fall time  
—
—
IS = 7A, VGS = 0V  
Channel to case  
VSD  
Source-drain voltage  
Thermal resistance  
—
1.5  
—
2.0  
0.50  
Rth (ch-c)  
—
°C/W  
PERFORMANCE CURVES  
POWER DISSIPATION DERATING CURVE  
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA  
7
5
250  
200  
150  
100  
50  
tw=10µs  
3
2
101  
7
100µs  
1ms  
5
3
2
100  
7
10ms  
DC  
5
3
T
C
= 25°C  
2
Single Pulse  
10–1  
7
0
0
50  
100  
150  
200  
2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3 5 7 103  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE DS (V)  
2
CASE TEMPERATURE  
TC  
(°C)  
V
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
V
GS = 20V  
10V  
50  
40  
30  
20  
10  
0
20  
16  
12  
8
PD  
= 250W  
T
C
= 25°C  
8V  
Pulse Test  
6V  
V
GS = 20V  
10V  
8V  
PD  
= 250W  
6V  
5V  
4
5V  
TC  
= 25°C  
Pulse Test  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
4
8
12  
16  
20  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
VDS (V)  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)  
Feb.1999  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FS14SM-14 MITSUBISHI HIGH-SPEED SWITCHING USE

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