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FS10R12VT3

更新时间： 2024-02-19 12:36:16

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FS10R12VT3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-11
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	元件数量：	6
端子数量：	11	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	540 ns	标称接通时间 (ton)：	62 ns

Technische Information / technical information

IGBT-Module

FS10R12VT3

IGBT-modules

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Charakteristische Werte / characteristic values

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FS10R12VT3BOMA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11	获取价格
FS10R12YT3	EUPEC	IGBT-Module IGBT-modules	获取价格
FS10R12YT3BOMA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22	获取价格
FS10RM18A	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
FS10SM06	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
FS10SM-06	MITSUBISHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格