Datasheet > FQP6N45

FQP6N45

更新时间： 2024-02-15 22:06:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	574K
描述
450V N-Channel MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FQP6N45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	98 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQP6N45 数据手册

Typical Characteristics

Top :

15^GV^S

10 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

10¹

Bottom : 5.5V

150℃

25℃

10⁰

-55℃

※

Notes :

※

Notes :

1. V = 50V

^DSμ

1. 250 s Pulse Test

2. 250 s Pulse Test

℃

2. T_C= 25

-1

10⁰

10¹

V_GS, Gate-Source Voltage [V]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

10¹

V_GS= 10V

V_GS= 20V

10⁰

150℃

※

25℃

Notes :

1. V = 0V

^GSμ

※

℃

Note : T = 25

2. 250 s Pulse Test

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

I_D, Drain Current [A]

V_SD, Source-Drain Voltage [V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current

and Temperature

1200

1000

800

600

400

200

_iss= C_gs+ C_gd(C_ds= shorted)

C_oss= C_ds+ C

C_rss= C

V_DS= 90V

V_DS= 225V

V_DS= 360V

iss

oss

※

Notes :

1. V_GS= 0 V

2. f = 1 MHz

rss

※

Note : I_D= 6.2A

-1

Q_G, Total Gate Charge [nC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Rev. A1, January 2001

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与FQP6N45相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FQP6N45J69Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
FQP6N50	FAIRCHILD	500V n-Channel MOSFET	获取价格
FQP6N50C	FAIRCHILD	500V N-Channel MOSFET	获取价格
FQP6N60	FAIRCHILD	600V N-Channel MOSFET	获取价格
FQP6N60C	FAIRCHILD	600V N-Channel MOSFET	获取价格
FQP6N60C	ONSEMI	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，5.5 A，2.0 Ω，TO-220	获取价格