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FP25R12W2T7_B11

更新时间： 2023-12-06 20:03:08

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FP25R12W2T7_B11 数据手册

FP25R12W2T7_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 175°C

72,5

63,0

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 25 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,83 t.b.d.

1,70

1,63

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 25 A, - di_F/dt = 650 A/µs (T_vj=175°C)

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

20,5

26,4

30,2

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 25 A, - di_F/dt = 650 A/µs (T_vj=175°C)

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

2,47

4,31

5,62

µC

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 25 A, - di_F/dt = 650 A/µs (T_vj=175°C)

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,94

1,48

1,85

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJH

T_{vj op}

1,73

K/W

°C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FRMSM

I_RMSM

I_FSM

ꢀ

1600

ꢀ

DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip

T_H= 100°C

MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip

GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom

T_H= 100°C

MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput

StoßstromꢀGrenzwert

Surgeꢀforwardꢀcurrent

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

450

370

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

1010

685

A²s

I²t

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

Durchlassspannung

T_vj= 150°C, I_F= 25 A

Forwardꢀvoltage

min. typ. max.

0,88

V_F

I_R

Sperrstrom

T_vj= 150°C, V_R= 1600 V

Reverseꢀcurrent

1,00

1,36

K/W

°C

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJH

T_{vj op}

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-02-24

1 234 5 6 7...14

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与FP25R12W2T7_B11相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FP25S	VMI	2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time	获取价格
FP25S	NJSEMI	RECTIFIER STACKS 2.2 A FORWARD CURRENT 3000 NS RECOVERY TIME	获取价格
FP2616-I-22	NEC	Ferrite Cores	获取价格
FP2650002	TI	Low-Noise Two-Channel 100-MHz Clock Generator	获取价格
FP2715RF	VISHAY	RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 2 W, 1 %, 150 ppm, 715 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED	获取价格
FP28250F	VISHAY	RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 2W, 1%, 150ppm, 825ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED	获取价格

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