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FOD814A3SD

更新时间： 2024-01-17 04:26:13

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安森美 - ONSEMI		输入元件输出元件晶体管光电晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	534K
描述
4 引脚 DIP 光电晶体管光耦合器

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技术参数
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FOD814A3SD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	LEAD FREE, DIP-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.40.80.00	风险等级：	5.41
其他特性：	UL APPROVED, VDE APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	70 V
配置：	SINGLE	当前传输比率-最小值：	50%
标称电流传输比：	50%	最大暗电源：	100 nA
最大正向电流：	0.05 A	最大正向电压：	1.4 V
最大绝缘电压：	5000 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	元件数量：	1
最大通态电流：	0.05 A	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-55 °C	光电设备类型：	AC INPUT-TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：	0.2 W	最长响应时间：	0.000018 s
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

FOD814A3SD 数据手册

Absolute Maximum Ratings

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be

operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.

In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.

The absolute maximum ratings are stress ratings only. T_A= 25°C Unless otherwise specified.

Value

Symbol

Parameter

Unit

FOD814

FOD817

Total Device

T_STG

T_OPR

T_J

Storage Temperature

-55 to +150

°C

Operating Temperature

-55 to +105

-55 to +110

Junction Temperature

-55 to +125

°C

T_SOL

_JC

Lead Solder Temperature

Junction-to-Case Thermal Resistance

Total Device Power Dissipation

260 for 10 seconds

°C

210

200

°C/W

P_TOT

EMITTER

I_F

Continuous Forward Current

Reverse Voltage

±50

V_R

Power Dissipation

P_D

Derate Above 100°C

1.7

mW/°C

DETECTOR

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Collector Voltage

Continuous Collector Current

Collector Power Dissipation

Derate Above 90°C

V_ECO

I_C

150

2.9

mW/°C

P_C

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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