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FOD814A3SD

更新时间： 2023-06-19 14:34:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输入元件输出元件晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 534K
描述
4 引脚 DIP 光电晶体管光耦合器

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FOD814A3SD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：LEAD FREE, DIP-4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.40.80.00风险等级：5.41
其他特性：UL APPROVED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：70 V
配置：SINGLE当前传输比率-最小值：50%
标称电流传输比：50%最大暗电源：100 nA
最大正向电流：0.05 A最大正向电压：1.4 V
最大绝缘电压：5000 VJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT元件数量：1
最大通态电流：0.05 A最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-55 °C光电设备类型：AC INPUT-TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：0.2 W最长响应时间：0.000018 s
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

FOD814A3SD 数据手册

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Typical Electrical/Optical Characteristic Curves  
TA = 25°C unless otherwise specified.  
200  
150  
100  
50  
200  
150  
100  
50  
0
-55  
0
-55  
-40 -20  
0
20 40 60 80 100 120  
-40 -20  
0
20 40 60 80 100 120  
AMBIENT TEMPERATURE T (°C)  
A
AMBIENT TEMPERATURE T (°C)  
A
Fig. 3 Collector Power Dissipation  
vs. Ambient Temperature (FOD814)  
Fig. 4 Collector Power Dissipation  
vs. Ambient Temperature (FOD817)  
(FOD814)  
6
100  
10  
1
Ic = 0.5mA  
Ta = 25°C  
1mA  
3mA  
5mA  
T
A
= 105oC  
75oC  
50oC  
5
4
7mA  
25oC  
0oC  
-30oC  
3
2
1
0
-55oC  
0.1  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
2.5  
5.0  
7.5 10.0 12.5 15.0  
FORWARD CURRENT I (mA)  
FORWARD VOLTAGE V (V)  
F
F
Fig. 5 Collector-Emitter Saturation Voltage  
vs. Forward Current  
Fig. 6 Forward Current vs. Forward Voltage  
100  
10  
1
140  
VCE = 5V  
Ta= 25°C  
T
A
= 110oC  
75oC  
50oC  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
FOD817  
25oC  
0oC  
-30oC  
FOD814  
-55oC  
0.1  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0.1 0.2 0.5  
1
2
5 10 20 50 100  
FORWARD VOLTAGE V (V)  
FORWARD CURRENT I (mA)  
F
F
Fig. 8 Current Transfer Ratio  
Fig. 7 Forward Current vs. Forward Voltage  
(FOD817)  
vs. Forward Current  
www.onsemi.com  
6
1...3456789...12

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FOD814A3SD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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