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FOD3184

更新时间: 2024-02-17 13:32:49
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC驱动双极性晶体管输出元件光电驱动器
页数 文件大小 规格书
26页 1913K
描述
3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器

FOD3184 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DIP
包装说明:LEAD FREE, DIP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.40.80.00风险等级:5.68
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
配置:SINGLE最大正向电流:0.016 A
最大正向电压:1.8 V最大绝缘电压:5000 V
JESD-609代码:e3安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
元件数量:1最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-40 °C光电设备类型:LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散:0.25 W子类别:Optocoupler - Transistor Outputs
最小供电电压:15 V表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

FOD3184 数据手册

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2014 2 月  
FOD3184  
3A 输出电流,高MOSFET/IGBT  
栅极驱动光耦合器  
特性  
50 kV/µs (典型值)共模抑制特点的高抗噪能力  
应用  
等离子显示屏  
@ VCM = 2,000V  
高性DC/DC 转换器  
高性能开关模式电源  
高性能不间断电源  
保证工作温度范围-40°C +100°C  
中等功MOSFET/IGBT 3A 峰值输出电流  
快速开关速度  
隔离功MOSFET/IGBT 栅极驱动  
– 210 ns (最大值)传播延迟  
– 65 ns max 脉宽失真度  
快速输出上/ 下降时间  
说明  
提供较低的动态功耗  
250 kHZ 最大开关速度  
VDD 工作范15 V 30 V  
使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供  
轨到轨输出)  
FOD3184 是具有 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 栅  
极驱动光耦由铝砷化(AlGaAs) 发光二极管组成该  
二极管与具PMOS NMOS 输出功率晶体管集成电路  
功率级CMOS感测器进行光耦合常适用于等离子显  
PDPs电动机用逆变器控制,以及高性能 DC/  
DC 转换器中采用的高频功率驱MOSFETS/IGBT。  
带滞回的欠压锁定保(UVLO) - 优化用于驱IGBT  
安全和法规认证  
该器件封装8 引脚双列直插式外壳内260°C 回流  
焊接工艺,符合无铅焊接的规定。  
– UL15775,000 VACRMS1 分钟。  
– DIN EN/IEC 60747-5-21,414 峰值工作绝缘电压  
最小爬电距离8.0 mm  
最小绝缘厚度8 mm 16 mm  
(选TV TSV)  
最小绝缘厚度0.5 mm  
功能框图  
封装外形  
1
2
3
4
8
7
NC  
ANODE  
CATHODE  
NC  
V
V
DD  
8
8
O2  
O1  
SS  
1
1
6 V  
5 V  
8
8
1
1
注意:  
0.1 µF 旁路电容必须连接在引5 8 之间。  
©2005 飞兆半导体公司  
FOD3184 1.0.4  
www.fairchildsemi.com  

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