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FMY5T148

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	75K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SMT5, 5 PIN

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FMY5T148 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-74A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.16
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

FMY5

Transistor

1MHz

=25°C

25°C

1MHz

I =

−0.5

EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)

Fig.15 Emitter input capacitance

vs. emitter-base voltage

Fig.14 Collector output capacitance

vs. collector-base voltage

Rev.B

4/4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FMY5	ROHM	类似代替	General purpose (dual transistors)

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMY6	ROHM	获取价格	General purpose (dual transistors)
FMY60N025S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N070S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N079S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N081S2FDA	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N088S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N099S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N125S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)
FMY60N160S2A	FUJI	获取价格	TO-246(Type:A)
FMY67N30ESF	FUJI	获取价格	TO-247