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FMX1308-200DC

更新时间: 2024-01-14 05:31:26
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 313K
描述
NVRAM (Ferroelectric Based)

FMX1308-200DC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.88
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G24
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:1024 words字数代码:1000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP24,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00004 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.016 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

FMX1308-200DC 数据手册

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