5秒后页面跳转
FMM5829X PDF预览

FMM5829X

更新时间: 2024-01-19 21:09:37
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
14页 259K
描述
K-Band Power Amplifier MMIC

FMM5829X 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.17Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT最大输入功率 (CW):22 dBm
最大工作频率:27000 MHz最小工作频率:21000 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWERBase Number Matches:1

FMM5829X 数据手册

 浏览型号FMM5829X的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FMM5829X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMM5829X的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FMM5829X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FMM5829X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FMM5829X的Datasheet PDF文件第7页 
FMM5829X  
K-Band Power Amplifier MMIC  
IMD vs. Frequency  
IMD vs. Output Power  
VDD=6V, IDD(DC)=800mA  
VDD=6V, IDD(DC)=800mA, Pout=20dBm S.C.L.  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
21GHz  
23GHz  
25GHz  
27GHz  
IM3  
IM5  
IM3  
IM5  
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  
Frequency [GHz]  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
2-tone Total Output Power [dBm]  
Output Power, Gain vs. Drain Voltage  
Output Power, Gain vs. Drain Current  
IDD(DC)=800mA  
VDD=6V  
36  
34  
36  
34  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
34  
21GHz  
21GHz  
23GHz  
25GHz  
27GHz  
23GHz  
34  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
32  
30  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
25GHz  
27GHz  
28  
P1dB  
P1dB  
G1dB  
26  
G1dB  
24  
22  
20  
18  
3
4
5
6
7
8
9
500  
600  
700  
800  
900  
1000  
1100  
Drain Voltage [V]  
Drain Current [mA]  
3

与FMM5829X相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FMM60-02TF IXYS Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET

获取价格

FMM65-015P IXYS Trench Power MOSFET

获取价格

FMM6G20US60 FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格

FMM6G20US60S FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格

FMM6G30US60 FAIRCHILD Compact & Complex Module

获取价格

FMM6G50US60 FAIRCHILD Compact & Complex Module

获取价格