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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 582.5 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 49 A | 最大漏源导通电阻： | 0.047 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 196 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMI80N10T2 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FMIAA001010DXAFGO | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max |
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| FMIAA001010DXANFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max, |
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| FMIAA001020DXAFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max |
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| FMIAA001020DXANFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max, |
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| FMIAA001030DXAFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max |
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| FMIAA001030DXANFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max, |
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| FMIAA001040DXANFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max |
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| FMIAA001050DXAFGO | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 22000MHz Max |
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| FMIAA001050DXANFGO | APITECH |
获取价格 |
暂无描述 |
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