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FMB-2204 PDF预览

FMB-2204

更新时间： 2024-02-19 11:15:02
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Schottky Barrier Diodes

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FMB-2204 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：2
相数：1端子数量：3
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

FMB-2204 数据手册

 浏览型号FMB-2204的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FMB-2204的Datasheet PDF文件第2页 
Characteristic Curves  
Schottky Barrier Diodes  
FME-220A  
VF —IF Cha racteristics (Typical)  
VR—IR Cha racteristics (Typical)  
IF(AV)—PF Characteristics  
Tc —IF (AV) Derating  
V
R
=100V  
20  
16  
12  
8
100  
10  
1
100  
10  
25  
Tj=150ºC  
Sinewave  
t / T=1/2  
t / T=1/3  
Ta =150°C  
125°C  
t / T=1/6  
t
T
20  
15  
10  
100°C  
1
t / T=1/ 3, Sinewave  
D.C.  
60°C  
0.1  
0.01  
t / T=1/6  
0.1  
Ta=150°C  
125°C  
100°C  
60°C  
25°C  
t / T=1/2  
D.C.  
Tj=150ºC  
0.01  
5
0
4
0
0.001  
t
T
25°C  
0.001  
0.0001  
0
50  
100  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
5
10  
15  
20  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Average Forward Current IF(AV) (A)  
FME-230A  
VF —IF Cha racteristics (Typical)  
IF(AV)—PF Characteristics  
Tc —IF (AV) Derating  
V
R
=100V  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
100  
10  
1
Tj=150ºC  
Tj=150ºC  
Sinewave  
t / T=1/2  
t / T=1/3  
t
T
t
T
t / T=1/6  
t / T=1/ 3, Sinewave  
D.C.  
0.1  
10  
5
Ta=150°C  
125°C  
100°C  
60°C  
t / T=1/2  
D.C.  
0.01  
25°C  
t / T=1/6  
0
0.001  
0
0
50  
100  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Average Forward Current IF(AV) (A)  
FMJ -23L  
VF —IF Cha racteristics (Typical)  
IF(AV)—PF Characteristics  
Tc —IF (AV) Derating  
V
=30V  
R
100  
10  
1
10  
10  
Tj=150ºC  
t
T
D.C.  
8
6
4
8
6
4
t / T=1/6  
t / T=1/3  
t / T=1/2  
Sinewave  
t / T=1/6  
t / T =1/ 3, Sinewave  
0.1  
Ta=150°C  
125°C  
100°C  
60°C  
Tj=150ºC  
2
0
2
0
0.01  
25°C  
D.C.  
t
T
t / T =1/2  
0.001  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
50  
70  
90  
110  
130  
150  
0
1
1
2
4
6
8
10  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Average Forward Current IF(AV) (A)  
FMB-34  
VF —IF Cha racteristics (Typical)  
VR—IR Cha racteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF (AV) Derating  
50  
10  
100  
10  
15  
12  
9
150  
120  
90  
60  
30  
0
=
D.C.  
T
a
125°C  
100°C  
20ms  
Sinewave  
1
0.1  
=
t / T 1/6  
1
60°C  
28°C  
6
=
t / T 1/ 3  
=
T
a
125°C  
100°C  
60°C  
0.1  
0.01  
0.001  
3
0
=
t / T 1/2  
28°C  
0.01  
80  
90  
100  
110  
120  
130  
0
20  
40  
60  
80  
5
10  
Overcurrent Cycles  
50  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
FMB-34M  
VF —IF Cha racteristics (Typical)  
VR—IR Cha racteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF (AV) Derating  
20  
10  
500  
100  
30  
24  
18  
12  
300  
240  
180  
120  
60  
Sinewave  
=
T
a
125°C  
100°C  
20ms  
D.C.  
1
0.1  
=
t / T 1/2  
10  
1
=
t / T 1/6  
60°C  
22°C  
=
T
a
125°C  
100°C  
60°C  
=
t / T 1/ 3  
0.01  
0.001  
0.1  
6
0
26°C  
0.01  
0
40  
60  
80  
100  
120  
140  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60 70  
5
10  
50  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
93  
123

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