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FM330-ALN

更新时间： 2024-01-18 07:42:40
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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FM330-ALN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.2
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FM330-ALN 数据手册

 浏览型号FM330-ALN的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
Formosa MS  
FM320-ALN THRU FM3100-ALN  
Silicon epitaxial planer type  
SMA-LN  
Features  
0.205(5.2)  
0.189(4.8)  
0.012(0.3) Typ.  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
For surface mounted applications.  
0.181(4.6)  
0.165(4.2)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.075(1.9)  
0.067(1.7)  
Low leakage current.  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
0.067(1.7)  
0.053(1.3)  
Mechanical data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by cathode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0015 ounce, 0.05 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
3.0  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
80  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
0.5  
20  
mA  
mA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 125 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RqJA  
CJ  
80  
C / w  
pF  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
250  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKING  
VRRM  
VRMS  
VR  
VF  
temperature  
SYMBOLS  
CODE  
o
( C)  
(V)  
(V)  
(V)  
(V)  
FM320-ALN  
FM330-ALN  
FM340-ALN  
FM350-ALN  
FM360-ALN  
FM380-ALN  
FM3100-ALN  
SS32  
SS33  
SS34  
SS35  
SS36  
SS38  
S310  
20  
30  
40  
50  
60  
80  
14  
21  
28  
35  
42  
56  
70  
20  
30  
40  
50  
60  
80  
100  
0.50  
-55 to +125  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
0.75  
-55 to +150  
0.85  
100  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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